英特尔18A过程技术的详细信息已经可用：全面的性能和密度改进

在2025年的Foundry会议和VLSI研讨会上，英特尔报道说，他发布了有关最新一代英特尔18A流程的更多技术细节。 Intel 18A使用了RibbonFet的Puerta Survre（GAA）的??晶体管技术，与FinFET技术相比，它取得了巨大的进步。这项技术不仅改善了门的静电性能，而且还大大降低了寄生能力并提高了设计灵活性。同时，英特尔18A领导了Powervia后面的Power Technology引入。这种增加的密度和单位使用率增加了5％-10％，大大降低了食品供应耐药性，而ISO供应性能较高4％。与英特尔3工艺节点相比，英特尔18A的瓦特产率提高了15％，芯片密度提高了30％。具体而言，英特尔18A在低压（0.65V）和高压（1.1V）上效果很好。随着相同的能耗，其产量比英特尔3高18％-25％。相同的频率，其能耗为36％-38％。这些改进受益于Ribi Fett晶体管，后功率技术和前端互连优化的协同作用。就芯片面积的规模和使用而言，与英特尔3相比，英特尔18A的密度最多可达39％（平均约30％），并且将单元的使用增加了6.5个百分点。此外，PowerVia技术的应用将单位能量的使用增加了8％-10％，从而使耐受性抗性最严重的降低降低了10倍。英特尔18A还提供高密度的单元格库（160 nm）和高性能单元格库（180 nm）。这比Densidad Intel 3高30％。M0间隔略高于Intel 3，但是由于Powervia技术的整合，M2间隔的时间降低了30％以上，进一步优化了流程的复杂性和成本。在互连性能方面，英特尔18A显着降低ES孔阻力。与L 3的比较，M0/M3/M6层孔的电阻降低了24％，30％和49％，M40-M42层降低了12％，M80-M84层降低了13％。此外，从SRAM量表的角度来看，英特尔18A HCC和HDC单元的面积分别降低了23.3％和12.5％。但是，与TSMC中的N2过程相比，英特尔18a的SRAM密度仍然存在特定的差距。英特尔说，预计英特尔18A将进入其风险试验的生产阶段，并在今年年底之前实现大规模生产，并将与Panther Lakeand Lakeand Clearwater森林服务器处理器的客户处理器一起使用。尽管Nvidia和Broadcom这样的英特尔和合作伙伴正在根据英特尔18A进行测试和验证筹码，但财务总监David Zinsner表示，技术目前针对外部客户。房屋的OEM的大小尚不重要。