三星加速了HBM4技术和更新的研发

在HBM4技术竞赛中，三星正在加强与SK Hynix领导者保持同步的努力。据媒体报道，三星计划扩大韩国Hawashen和Pyeongchang地区第六代（1C）的生产规模，并计划在今年开始相关的投资。与决定使用1B DRAM作为基本HBM4技术的SK Hynix和Micron不同，三星决定专注于更先进的DRAM过程。还据报道，三星正在评估将Huacheng 17生产线从目前的1Z DRAM生产转换为1C DRAM的可能性，并希望完成转换并改善年底的容量设计。以前，三星在Pionze的第四公园中建立了第一条生产线的1C DRM，但每月生产能力为30,000瓦金夫。后验是预期生产的扩展增加了该产品的月度容量诱使线至40,000个单位。此外，根据先前的报道，三星的4NM逻辑芯片（12-层HBM4）在测试生产阶段达到了40％以上的性能水平，这使其成为重要的技术进步之一。市场分析机构预测，到2026年，HBM一般货物将超过300亿千兆位，这是由于需求持续增长而驱动的。从2026年下半年开始，HBM4预计将逐渐取代HBM3E，并成为高频内存市场中常规解决方案。